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静电会导致MOS管烧坏,设计电路需要注意什么

      我们都知道MOS管是一个电压型控制器件,同时也是静电敏感的器件,虽然它本身的输入电阻很高,但是MOS管的DG,GS之间分别有结电容,因此很容易受到外界电磁场或静电的感应而带静电荷,电荷积累达到一定程度产生很高电压最后将管子损坏,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电放电的特点是电压瞬间高电流短而大,MOS发热的热量来不及散热掉就被击穿烧坏了。

C2:这里的电容可以去掉也可以保留,存在时候使得Vgs变化缓慢,输出电压变缓慢,从而有效防止电流过充,防止前级(Q1部分)电源因过大的充电浪涌电流而过载,起到软启作用

R4:MOS管导通的瞬间会有电压尖峰,为改变前面三极管控制面的MOS管陡度和寄生震荡,同时也为了减小对Q1集电极的电压尖峰,R4不能过大,过大时候损耗发热的厉害,过小可能会误导通 ,通常R4阻值在10欧姆左右

R5:这个电阻能够提供固定偏置,在前级Q1电路开路时,这个电阻可以保证MOS有效的关断,如果太小了,驱动电流就会大,驱动功率增加;如果太大,MOS的关断时间会增大。同时能够将静电泻放掉,GS两端的高压可能会使场效应管产生误动作,这个电阻就能把上述的静电泻放掉,起到了保护场效应管的作用

ZD:这个稳压二极管保证电压在12V,不至于GS极电压过高击穿


 
 
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